纳能微电子（成都）股份有限公司（简称“纳能微”）位于四川省成都高新区，于2014年成立，是一家先进工艺半导体IP（硅知识产权）研发企业，在0.18um至6nm工艺节点，已形成高速接口IP产品线4大类20余种，为国内外SOC及ASIC企业提供的半导体IP设计开发并量产服务案例超100个。
纳能微是国家高新技术企业、国家重点集成电路设计企业、四川省瞪羚企业、四川省雁阵培育企业、成都市新经济培育企业、成都市中小企业成长工程培育企业、成都高新区瞪羚企业，全国硬科技企业之星。荣获了2021年度全国电子学会科技进步奖二等奖、2021年度四川省科技进步奖三等奖、2020年度四川专利奖创新创业奖。
纳能微作为先进工艺半导体IP研发企业，纳能微率先在主流工艺厂商6/7/8nm，12/14nm，22nm，28nm等先进工艺节点完成56Gbps/28Gbps SERDES IP研发。实现了16Gbps SERDES IP,12.5Gbps JESD204B PHY，PCIE3.0 PHY，USB3.1 PHY，SATA3.0 PHY， MIPI PHY，GVI视频接口PHY，高性能PLL等IP产品对国内多家上市企业和知名研究单位的授权并量产。
纳能微所提供的 USB3.0/PCIE2.0/SATA3.0 combo PHY IP 核解决方案，在完全兼容 PIPE 接口协议的基础上，只需要变动模式选择管脚，同一 IP 核就可无缝对接主流 USB/PCIE/SATA 等三类控制器。该 IP 核已经在 SMIC，TSMC，UMC等各主流代工厂完成验证，并被多家国内外芯片大厂所采用。
纳能微核心技术团队主要来自于世界500强企业，在先进工艺的数模混合电路开发方面具有长期的经验。为客户量身打造电路设计与版图方案，协助客户完成SOC芯片最优面积与功效效率，同时满足客户的专有需求。
2014年
创立纳能微，以“国产IP核自主可控”为己任
创业团队的技术背景深厚，承担过“核高基”重大专项课题
2015年
推出国内首款USB3.1 Type-C IP产品并通过USB ORG 认证
推出GVI接口 PHY IP核，并应用于华为海思智能电视主控芯片
2016年
自主立项研发4-in-1 combo PHY IP等新产品 ，并被工业界广泛采用
基于40nm 工艺的combo PHY IP核被华为海思用于SOC产品
2017年
完成10Gbps高速SERDES IP研发与硅验证
自主立项研发国产14nm FINFET工艺高速接口IP
2018年
国内首家完成国产14nm FINFET工艺IP核硅验证并取得FAB IPV认证
推出国内首款12.5Gbps JESD204B PHY IP
首次通过国家高新技术企业认定
2019年
在22nm/12nm及8nm工艺平台完成了高速IP核研发，并完成客户授权及量产
在Global Foundry 22nm工艺完成GVI接口PHY IP研发，并授权SONY等公司量产
2020年
推出MIPI/DSI/CSI 物理层接口IP核等新产品
荣获“四川专利奖-创新创业奖”
通过“成都高新区瞪羚企业”认定
荣获“成都市中小企业成长工程培育企业”、“成都市新经济培育企业”
荣获“上海华力优秀供应商”
2021年
完成国产7nm FINFET 工艺高速接口类IP核的流片验证
首次通过发改委/工信部“国家重点集成电路设计企业”认定
荣获“全国电子学会科技进步奖-二等奖”
荣获“四川省科技进步奖-三等奖”
通过“四川省瞪羚企业”认定
荣获“全国硬科技企业之星”、“四川省雁阵培育企业”称号
2022年
推出56Gbps的接口类IP产品
投入车载接口IP等产品线研发
2023年
纳能微电子（成都）股份有限公司创立
